產(chǎn)品詳情
簡(jiǎn)單介紹：
四探針電阻率又名方塊電阻測(cè)試儀，主要用于測(cè)量電阻率及方塊電阻（只測(cè)量非金屬薄膜，避免設(shè)備污染）。提供自動(dòng)計(jì)算機(jī)量測(cè)的四點(diǎn)探針阻值量測(cè)機(jī)臺(tái)?？焖?，jing確與軟件控制下針、軟件功能可化下針壓力，即使薄片量測(cè)也不易破裂。自動(dòng)清針(Probe Conditioning);動(dòng)作，雙針頭切換能使用可支持自動(dòng)Loader，300mm 機(jī)臺(tái)可使用Front End，zui多擴(kuò)充3個(gè)量測(cè)單元，支持Semi標(biāo)準(zhǔn)接口。
詳情介紹：
CDEResMap四探針電阻率/方塊電阻測(cè)試儀
一、四探針電阻率產(chǎn)品介紹
四探針電阻率又名方塊電阻測(cè)試儀，主要用于測(cè)量電阻率及方塊電阻（只測(cè)量非金屬薄膜，避免設(shè)備污染）。提供自動(dòng)計(jì)算機(jī)量測(cè)的四點(diǎn)探針阻值量測(cè)機(jī)臺(tái)。快速，jing確與軟件控制下針、軟件功能可化下針壓力，即使薄片量測(cè)也不易破裂。自動(dòng)清針(Probe Conditioning);動(dòng)作，雙針頭切換能使用可支持自動(dòng)Loader，300mm 機(jī)臺(tái)可使用Front End，zui多擴(kuò)充3個(gè)量測(cè)單元，支持Semi標(biāo)準(zhǔn)接口。
二、四探針電阻率技術(shù)參數(shù)
1薄膜電阻測(cè)量范圍: 10-5Ω.cm~105Ω.cm
2方塊電阻測(cè)量范圍:10-3Ω/□至106Ω/□
3晶片直徑: 50至200mm,可測(cè)量不規(guī)則硅片
4具有2D、3D Mapping的數(shù)據(jù)分析功能。
5具有測(cè)試數(shù)據(jù)自動(dòng)導(dǎo)出功能。
三、四探針電阻率典型應(yīng)用
1非晶硅/微晶硅和導(dǎo)電膜電阻率測(cè)量；
2選擇性發(fā)射極擴(kuò)散片；
3表面鈍化片；
4交叉指樣PN結(jié)擴(kuò)散片；
5電極設(shè)計(jì)，如電鍍銅電阻測(cè)量等
